在用来进行低温测量的热电阻温度计中，占比例 大的是铂电阻。ITS-90 温标规定工业装置和实验研究的低温测量中，低温区13.8033K~273.16K范围内用铂电阻作标准温度计。目前，各国普遍将铂电阻温度计用于较的测量。
按照正式实施的技术标准体系划分，铂电阻温度计有四个“派别”，除了在技术要求方面不一致外，分度表也不相同。1983年 电工委员会(CIEC)正式颁布的铂电阻技术标准，采用电阻比W=R(100℃)/R(0℃)=1.3850的分度表。俄罗斯和一些东欧 自成体系，采用W=R(100℃)/R(0℃)=1.3910的分度表，日本采用W=R(100℃)/R(0℃)=1.3916的分度表。
也有自己的铂电阻技术标准，它采用W=1.3920的分度表，但这个标准不是强制性的，而是推荐性的。 大部分铂电阻公司既生产符合 技术标准的产品，也生产其他标准的产品，即按照客户的需要进行供应。此外， 一些铂电阻公司对自己产品提出的要求甚至超过了 电工委员会的规定，从这一点可以看出 人的商业观念和产品意识。此外， 铂电阻行业为了适应核电站、核工厂以及高性场合的需要，正在大力、试验、生产高性铂电阻温度计，并制定了相应的 ，代表了目前 上 的技术水平。
在电阻材料方面， 研制成功直径4μm钨丝制成的电阻温度计，可测量80K~400K，温度变化频率为30Hz的氦气温度，研制成的碳电阻温度计，定点测量几十mK到30K的低温，复现性达0.005K。日本研制出利用锑化锢材料做成的半导体温度传感器，用于150K以下的低温温度测量，30K以上显示较好的线性，，离散性小。德国1888年 创的锰铜电阻，至今为止仍然是 稳定的电阻材料，近年试制成功的一种锗搀杂的锰铜，被用来制作铜电阻温度计。
由于常用的低温电阻温度计在低温状态下比热变小，所以易受外部干扰，产生较大误差。为解决这一问题，日本研究了利用锯薄膜作电极制造的低温温度计。由于锯薄膜能在一的温度范围内产生超导转移，所以可以利用这一特定温度来进行温度计的自我校正和经时变化的监视，以提高测量的性，灵敏度随温度降低而增加，从室温的0.25Ω/K到4.2K的96Ω/K。
铂电阻的发展越来越依靠工艺装备。近年来， 上铂电阻生产厂用真空沉积、阴极溅射和烧结浆料等不同工艺方法推出一种新薄膜铂电阻，这种膜层工艺改变了原来的线绕工艺制造铂电阻，在一些需表面、小区域和测温以及需高阻值元件的场合特别适用。薄膜铂电阻在法国、德国生产发展很快，有完整的流水线，产量也很高。
